英飞凌科技（FSE：IFX / OTCQX：IFNNY）推出了新的逻辑电平IR MOSFET系列。它包括三种不同的电压等级，分别为60 V，80 V和100V。这些新器件采用2 mm x 2 mm PQFN封装，非常适合对外形尺寸至关重要的无线充电，适配器和电信应用。小封装尺寸可实现更高的功率密度和更高的效率。同时，它可以节省空间，减少零件数量并降低整体系统成本。
采用PQFN封装的新型IR MOSFET器件的R DS（on）比竞争产品低11％至40％。超低栅极电荷（Q g）可降低开关损耗，而不会增加传导损耗。此外，输出电容（C OSS）和反向恢复电荷（Q rr）已得到优化，FOM g（R DS（on）x Q g / gd）得到改善。这使IR MOSFET器件可以在高达6.78 MHz的高开关频率下工作-这是谐振无线充电应用所要求的。逻辑电平的栅极驱动器提供了低的栅极阈值电压（V GS（th）），这意味着MOSFET可以5 V的电压直接从微控制器驱动。
可用性
IR MOSFET系列现已提供60 V和80 V的电压，并且正在开发100 V的器件。有关更多信息，请访问www.infineon.com/IR-MOSFET-logiclevel。
